DPAK (TO-252AA) SiC dioda visoke toplinske vodljivosti

Istaknuta slika SiC diode visoke toplinske vodljivosti DPAK (TO-252AA).

Kratki opis:

Struktura pakiranja: DPAK (TO-252AA)

Uvod: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC dioda, koja je izrađena od materijala od silicij karbida, ima visoku toplinsku vodljivost i jaku sposobnost prijenosa topline, pogodnija za poboljšanje gustoće snage uređaja za napajanje, tako da je prikladnija za rad u okruženju visoke temperature. Visoka jakost probojnog polja SiC dioda povećava otporni napon i smanjuje veličinu, a velika jakost elektroničkog probojnog polja povećava probojni napon poluvodičkih energetskih uređaja. U isto vrijeme, zbog povećanja jakosti polja proboja elektrona, u slučaju povećanja gustoće prodiranja nečistoća, širokopojasno područje drifta energetskog uređaja SiC diode može se smanjiti, tako da veličina energetskog uređaja može se smanjiti.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Praćenje vremena odgovora

Mjerni raspon

Oznake proizvoda

Prednosti YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC diode:

1. Konkurentna cijena uz visoku kvalitetu

2. Visoka učinkovitost proizvodnje uz kratko vrijeme isporuke

3. Mala veličina, pomaže optimizirati prostor na tiskanoj ploči

4. Stabilan i pouzdan u različitim prirodnim okruženjima

5. Samorazvijeni čip s malim gubicima

Postupci proizvodnje čipova:

1. Mehanički ispis（Superprecizan automatski ispis napolitanki）

2. Automatsko prvo jetkanje （Oprema za automatsko jetkanje, CPK>1,67）

3. Automatski test polariteta（Precizni test polariteta）

4. Automatska montaža （Automatska precizna montaža vlastitog razvoja）

5. Lemljenje (zaštita vakuumskim lemljenjem mješavinom dušika i vodika)

6. Automatsko drugo jetkanje (automatsko drugo jetkanje s ultra čistom vodom)

7. Automatsko lijepljenje (jednoliko lijepljenje i precizan izračun ostvaruje se pomoću opreme za automatsko precizno lijepljenje)

8. Automatski toplinski test (automatski odabir toplinskim ispitivačem)

9. Automatski test (višenamjenski tester)

Parametri proizvoda:

Broj dijela	Paket	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (0,03 tipično)	1,7 (tipično 1,5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (0,03 tipično)	1,7 (tipično 1,4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (0,7 tipično)	1,7 (tipično 1,45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 tipično)	1,8 (1,5 tipično)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 tipično)	1,8 (tipično 1,65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 tipično)	1,8 (1,5 tipično)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 tipično)	1,8 (1,5 tipično)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 tipično)	1,8 (tipično 1,6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (po nozi)	8 (0,002 tipično) (po nozi)	1,7 (tipično 1,5) (po nozi)